Trouver la position exacte de tout défaut de circuit ouvert, résistif ou court-circuit.
Trouver la position exacte de tout défaut de circuit ouvert, résistif ou court-circuit
- Localisation de lignes métalliques coupées et causées par la fissuration, la corrosion, l’électromigration ou par une particule étrangère.
- Identification de circuit ouvert causé par contamination d’interface au niveau des via d’interconnexions.
- Localisation précise pour la préparation directe de lames FIB.
Caractérisation des interconnexions avec la meilleure résolution
- Révélation de l’intégrité électrique d’un réseau avec une résolution latérale submicronique et relation entre EFA (analyse de défaillance électrique) et PFA (analyse de défaillance physique).
- Diagnostique de fabrication et problèmes de durée de vie incluant la contamination, les défauts de motifs métalliques, les interconnexion s résistives ou l’électromigration.
- Identification directe de la couche exacte comportant les défauts et la position sur la puce afin d’améliorer les temps de développement produit.
Vérification des modes d’opérations des composants avec le contraste de tension intégré
- Contraste courant/tension de l’image dans les composants ouverts.
- Surveillance des opérations des composants sous courant.
- Surveillance des opérations des composants sous courant.Comparaison du comportement de l’image avec la conception du composant.
Localisation des défauts dans les couches minces d’oxydes
- Visualisation et localisation des faiblesses dans les oxydes de grilles (GOX) et dans les oxydes de capacités (COX) avant claquage.
- Localisation précise des courts circuits causés par décharge électrostatique (ESD) ou par surcharge électrique (EOS) avec une résolution submicronique.
- Préservation de la signature originale des défauts avec la dissipation de puissance dans la gamme du nW pendant la localisation.
Accès aux défaillances invisibles par contraste de tension
- Recherche des basses résistances qui permettent aux charges de passer dans les interconnexions par effet tunnel.
- Investigation des structures en contact avec le substrat en silicium.
- Caractérisation de grandes structures métalliques.