Une toute nouvelle gamme d’équipements In-Situ, In-Operando
Le système Protochips Atmosphère libère des contraintes imposées par les niveaux de vide des microscopes MET conventionnels, permettant aux utilisateurs d’étudier une grande variété de matériaux sous un contrôle environnemental précis de gaz dédiés.
Atmosphère permet l’étude dynamique de réactions gaz/solide en temps réel avec ajustement précis de la pression et de la température à travers un logiciel dédié à menu déroulant facile d’utilisation.
Basé sur le design étanche et fermé d’une cellule au sein d’un porte-objet MET, Atmosphère est une plateforme automatisée qui inclue le contrôle des gaz réactants au sein d’un bâti dédié sous l’interface d’un logiciel riche en options.
Afin de transformer votre MET en EMET pour une fraction d’un cout d’un EMET, dites Goodbye au vide et welcome à Atmosphère!
Une nouvelle génération de plateforme environnementale gaz
Atmosphère est une nouvelle génération de plateforme environnementale gaz qui libère les MET existants « anciennes et nouvelles générations » des limitations imposées par le vide d’une colonne électronique. Elle permet aux utilisateurs d’étudier une grande variété de matériaux dans un environnement de gaz contrôlé. Au sein de votre MET, exposer des échantillons sous une pression supérieure à 1 bar et simultanément sous des températures supérieures à 1000 °C avec une résolution atomique devient possible. L’étude dynamique de matériaux avec interaction solide/gaz réactants en temps réel et ajustement systématique de la pression et de la température à travers un logiciel facile d’utilisation sont les principaux avantages du système Atmosphère. Un système de boucle de contre-réaction assure la stabilité en température indépendamment des gaz injectés et des variations de pression.
Configuration brevetée de chips semi-conducteurs MEMS
Le système Atmosphère intègre une configuration brevetée de chips semi-conducteurs MEMS permettant d’atteindre des températures, pressions et performances d’imageries hautes résolutions pour une grande variété d’applications. Ces chips environnementaux appelés communément Echips sont fabriqués en interne par Protochips (Wafer Fab) et sont la clé de voûte de tous les designs de porte-objets proposés par Protochips. Chaque Echips est un consommable sur lequel on vient déposer son échantillon comme on le déposerait sur une grille MET 3 mm. Les designs de ces Echips évoluent dans le temps en rapport aux demandes spécifiques innovantes de chaque client.
EChips
Les EChips pour la gamme Atmosphère sont constitués d’une fine membrane de SiC, ultra stables, robustes, faibles dérives capable de tenir des températures supérieures à 1000 °C et ceci même sous 1 bar de pression. Le design de cette membrane céramique ne contient pas de métal, chimiquement inerte durant le chauffage et les réactions sous gaz. Ces Echips peuvent tenir les hautes températures sur de longues périodes de temps et la boucle de contre-réaction assure un contrôle constant de la température indépendamment des échantillons déposés ou des gaz réactants injectés. Un second Chips, constitué d’une fenêtre en SiN complète le montage étanche de la cellule et fournit un environnement étanche au sein du TEM.
Etudiez vos échantillons sous des conditions environnementales proches de la réalité
Le logiciel possède une interface par menus déroulants, facile d’utilisation permettant aux utilisateurs de contrôler les étapes d’injection des gaz incluant les étapes de pompage, les cycles de purge, les étapes de détection de fuite et l’exécution des expériences à mener. De ce fait, l’expérimentateur va simplement monitorer les pressions et températures désirées et la plateforme Atmosphère va suivre ces consignes en maintenant un environnement stable et sécurisé.
Etudiez vos échantillons sous des conditions environnementales proches de la réalité en tirant pleinement parti de la puissance et de la résolution de votre MET est le challenge que vous propose la plateforme Atmosphère.
Analyses atome par atome In-Operando MET à la température et pression souhaitées :
Photo de gauche : TiO2, 1 atm H2, 600 ºC, 200 kV TEM, Image courtesy U Paris, Diderot
Photo de droite : 1 atm N2/H2, 500 ºC, 200 kV TEM, Image courtesy U Michigan.
Observation direct des process sans manquer d’étapes :
CNT/Co, 400 Torr H2, 275-400 ºC, 200 kV TEM, Images courtesy of IPCMS France.
Comportement dynamique des matériaux en temps réel
An Fe nanoparticle etching few-layer graphene (FLG) at 900 degrees C and 600 Torr of H2. The Fe nanoparticle preferentially etches the graphene along specific crystallographic directions.